คอมโพสิตลามิเนต Busbar

ด้วยการซ้อนชั้นทองแดงขั้วบวก- และลบ-เข้าด้วยกันโดยมีช่องว่างอิเล็กทริกน้อยที่สุด สนามแม่เหล็กจะตัดกัน ทำให้ค่าความเหนี่ยวนำของลูปต่ำกว่า 50 nF/m เพื่อลดแรงดันไฟกระชากความถี่สูง-ในวงจรสวิตช์ IGBT

การใช้แถบทองแดง C1100 ETP แบบแบนที่มีความหนาตั้งแต่ 0.5 มม. ถึง 5.0 มม. ความหนาแน่นกระแสจะกระจายสม่ำเสมอทั่วทั้งพื้นที่หน้าตัด- ช่วยลดความต้านทานไฟฟ้ากระแสสลับและจำกัดความเข้มข้นทางความร้อนที่ส่วนต่อประสานข้อต่อ

ฟิล์มกั้นไดอิเล็กทริก-เช่น DuPont PET และการเคลือบผงอิพ็อกซี-สามารถทนต่อแรงดันไฟฟ้ากระแสสลับสูงถึง 3.0 กิโลโวลต์เป็นเวลาหนึ่งนาที ป้องกันการอาร์คระหว่าง-ชั้นในสถาปัตยกรรมพลังงาน 800V DC

การคำนวณการกระจายความร้อนยืนยัน-อุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นในสภาวะคงที่ (ΔT) ต่ำกว่า 30 องศาที่กระแสไฟฟ้าต่อเนื่องที่กำหนด 600A ตรวจสอบผ่านการบันทึกเทอร์โมคัปเปิลแบบเรียลไทม์-ในการจำลองตู้แบบปิด